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PIP-MOS管

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MOS高壓場效應200v 90A 0.023Ω管 產品型號:PT90N20​

  • MOS高壓場效應200v 90A 0.023Ω管
產品簡介:PIP高壓場效應管,額定電壓200v;額定電流90A;阻值範圍0.018Ω~0.023Ω;閾值電壓(Vth)範圍2V~4V;導通柵極電荷量270nc;Ciss寄生電容6280pF。
重點參數:
額定電壓(DC)
200V
寄生電容 6280pF
額定電流 90A 電阻範圍 0.018Ω~0.023Ω
產品應用:

產品詳情

PIP-MOS場效應管
額定電壓 200V
額定電流
90A
阻值範圍
0.018Ω~0.023Ω
閾值電壓(Vth)
2V~4V
導通柵極電荷量(og,nc
270nc
寄生電容(Ciss
6280pF
其它型號
PTx09N20A
200V_9A_(0.3~0.25)Ω_16nc_670pF
PTx09N20C
200V_9A_(0.3~0.25)Ω_16nc_420pF
PTxllN20C
200V_9A_(0.3~0.25)Ω_16nc_420pF
PTx18N20A
200V_18A_(0.18~0.12)Ω_34nc_1256pF
PTx18N208 
200V_18A_(0.18~0.13)Ω_50nc_940pF
PTx40N20
200V_40A_(0.065~0.05)Ω_97nc_2800pF
PTWSON20
200V_50A_(0.05~0.04)Ω_210nc_3700pF
PT90N20
200V_90A_(0.023~0.018)Ω_270nc_6280pF
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注解:例如,200V_9A_(0.3~0.25)Ω_16nc_670pF

1、200V為(wei) MOS額定電壓;

2、9A為(wei) MOS額定電流;

3、0.3~0.25)Ω為(wei) MOS阻值範圍;

4、16nc為(wei) MOS柵極電荷Qg

5、670pF為(wei) Ciss寄生電容;


封裝類型

TO220 TO220F TO251 TO252 TO262 TO3P TO247


產(chan) 品應用

產(chan) 品應用領域廣泛, 涵蓋電子類多個(ge) 領域, 如消費電子、智能家居、智能照明、工控設備、電動汽車等;


相關(guan) 知識

1、Ciss寄生電容,最大限度降低開關(guan) 損耗,提高轉換效率,另外極低的寄生電容能夠有效改善EMI電磁幹擾。

2、RDSON為(wei) 內(nei) 阻,作為(wei) 開關(guan) 電源的主開關(guan) MOS,以上都能能夠滿足大部分的應用需求。

3、Qg(柵極電荷):柵極電荷Qg是使柵極電壓從(cong) 0升到10V所需的柵極電荷,是指MOS開關(guan) 完全打開,Gate極所需要的電荷量。

4、Vth通常將傳(chuan) 輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉折區的中點對應的輸入電壓稱為(wei) 閾值電壓.在描述不同的器件時具有不同的參數。如描述場發射的特性時,電流達到10mA時的電壓被稱為(wei) 閾值電壓。

產品報價:MOS高壓場效應200v 90A 0.023Ω管

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